Infineon и OMRON сотрудничают для создания систем зарядки V2X на основе решений GaN

Инфинион Технолоджиз АГ и ОМРОН Социал Солюшнс Ко. Лтд объединились для интеграции своих решений по энергетике на основе нитрида галлия (GaN) с инновационной топологией схем и технологией управления ОМРОН. Это партнерство нацелено на создание одной из самых маленьких и легких систем зарядки для технологии V2X (vehicle-to-everything) в Японии.

Использование технологии GaN позволяет ускорить переход к возобновляемым источникам энергии, облегчить разработку умной сетевой инфраструктуры и способствовать широкому внедрению электромобилей, что соответствует инициативам декарбонизации и цифровизации.

Система V2X, известная как серия KPEP-A, использует технологию CoolGaN от Инфинион в сочетании с технологией управления от ОМРОН. Это улучшенная система зарядки и разрядки электромобилей обеспечивает двунаправленные пути зарядки и разрядки между возобновляемыми источниками энергии, сетью и аккумуляторами электромобилей.

Благодаря своим компактным размерам и низкому весу, серия KPEP-A предлагает уменьшение размеров и веса на 60% по сравнению с традиционными конструкциями зарядных и разрядных устройств, обеспечивая надежную зарядку мощностью 6 кВт.

Интеграция решения CoolGaN от Инфинион дополнительно повысила эффективность систем V2X, приведя к увеличению энергоэффективности и улучшению производительности.

Это сотрудничество между Инфинион и ОМРОН открывает путь к более устойчивым и эффективным транспортным решениям, отвечающим потребностям автомобильной промышленности.

"Мы в восторге от партнерства с OMRON Social Solutions, так как наши решения на основе CoolGaN напрямую способствуют ускорению перехода к возобновляемым источникам энергии, что снижает выбросы CO2 и содействует декарбонизации," - сказал представитель Infineon. "Это также облегчит зарядку электромобилей, делая ее более простой и удобной для потребителей, помогая преодолеть одно из самых больших препятствий для принятия электромобилей."

"Имея доступ к широкому портфолио решений на основе широкой запрещенной зоны, мы значительно повышаем функциональность, производительность и качество наших продуктов. Совместно с партнером мы получаем высочайший уровень ноу-хау по применению для создания новых и улучшенных систем зарядки и разрядки, обеспечивая высокий уровень удовлетворенности наших клиентов и конечных пользователей.

Мы с нетерпением ждем дальнейшего развития совместных решений по мощности на основе GaN и SiC вместе с нашим партнером, чтобы содействовать развитию возобновляемой энергии и электромобилей," - сказал представитель OMRON Social Solutions.

Полупроводники широкой запрещенной зоны на основе карбида кремния и нитрида галлия существенно отличаются от обычных полупроводников, поскольку позволяют достичь большей энергоэффективности, уменьшенного размера, легкости и снижения общей стоимости.

Как ведущий поставщик энергетических решений с более чем двухдесятилетним наследием в области разработки технологий SiC и GaN, компания удовлетворяет потребности в более умном, эффективном производстве, передаче и потреблении энергии.